mos管功率損耗與二極管損耗有什么關(guān)聯(lián)嗎?開關(guān)模式電源(Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS)，又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。

　　開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)，所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)，所產(chǎn)生的功率損耗。開關(guān)損耗(Switching-Loss)包括開通損耗(Turn-on Loss)和關(guān)斷損耗(Turn-of Loss)，常常在硬開關(guān)(Hard-Switching)和軟開關(guān)(Soft-Switching)中討論。所謂開通損耗(Turn-on Loss)，是指非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)管的電壓不是立即下降到零，而是有一個(gè)下降時(shí)間，同時(shí)它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流，也有一個(gè)上升時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)，開關(guān)管的電流和電壓有一個(gè)交疊區(qū)，會(huì)產(chǎn)生損耗，這個(gè)損耗即為開通損耗。

　　以此類比，可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因，這里不再贅述。開關(guān)損耗另一個(gè)意思是指在開關(guān)電源中，對大的MOS管進(jìn)行開關(guān)操作時(shí)，需要對寄生電容充放電，這樣也會(huì)引起損耗。

　　在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算)。

　　一般來說，功率MOS管與二極管作為電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)、電工電路系統(tǒng)中的基本部件，其電子元器件自身帶有導(dǎo)電電阻與工作環(huán)境的極限參數(shù)，那么，電子工程師們是如何把握電子元器件的功耗、使用壽命的性能品質(zhì)，以及功率mos管和二極管損耗方面的呢?

　　電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員、工程師助理們需要考慮到兩種不同的情況，即電子產(chǎn)品工作在最壞的狀態(tài)和器件工作環(huán)境下的真實(shí)情況。從電子元器件的采購品牌、選型開始，為電路產(chǎn)品選擇正確的器件，再根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用在電子元器件規(guī)格書上面找到接近、吻合的技術(shù)參數(shù)值，比如：MOS管溝道類型的選擇、電流和電壓數(shù)值的選擇。

　　二極管開關(guān)的損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。電子元器件工作電路上的自身發(fā)熱損壞，外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱，都可一定程度上造成瞬時(shí)、局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。比如：封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，內(nèi)置二極管破壞的情況下，計(jì)算功率MOS管導(dǎo)通損耗、計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求等。